На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BAP55L,315 | BAP55LX,315 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOD-882 | |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |
Обратное напряжение | UR | <50 В | |
Прямой ток | IF | <100 мА | |
Обратное импульсное напряжение | UR-i | ||
Емкость диода | CD | 0.28 пФ | |
Технология диода | Технология | PIN - Single | |
Мощность | P | <500 мВт | <135 мВт |
Сопротивление | R | 700 мОмIf, F = 100mA, 100MHz | 800 мОмIf, F = 100mA, 100MHz |