BA779E6327

BA779, BA779E6327

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBA779E6327
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23
Производитель
Производитель
Infineon Technologies
Обратное напряжение
UR
<50 В
Прямой ток
IF
<50 мА
Обратное импульсное напряжение
UR-i
Емкость диода
CD
0.6 пФ
Технология диода
Технология
PIN - Single
Сопротивление
R
7 ОмIf, F = 10mA, 100MHz