На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 1SV308(TH3,F,T) | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 1-1G1A |
Производитель | Производитель | Toshiba |
Обратное напряжение | UR | <30 В |
Прямой ток | IF | <50 мА |
Обратное импульсное напряжение | UR-i | |
Емкость диода | CD | 0.5 пФ |
Технология диода | Технология | PIN - Single |
Сопротивление | R | 1.5 ОмIf, F = 10mA, 100MHz |