1SV251-TB-E

1SV251, 1SV251-TB-E

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр1SV251-TB-E
Производитель
Производитель
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
Обратное напряжение
UR
<50 В
Прямой ток
IF
<50 мА
Обратное импульсное напряжение
UR-i
Емкость диода
CD
0.23 пФ
Мощность
P
<150 мВт
Сопротивление
R
4.5 ОмIf, F = 10mA, 100MHz