На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 1SS315TPH3F | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 1-1E1A |
Производитель | Производитель | Toshiba |
Обратное напряжение | UR | <5 В |
Прямой ток | IF | <30 мА |
Обратное импульсное напряжение | UR-i | |
Емкость диода | CD | 0.6 пФ |
Технология диода | Технология | Schottky |