US1G-13-F

US1G, US1G/1, US1G-13, US1G-13-F, US1G-E3/5AT, US1G-E3/61T, US1GHE3/5AT, US1GHE3/61T, US1G-TP

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрUS1G/1US1G-13US1G-13-FUS1G-E3/5ATUS1G-E3/61TUS1GHE3/5ATUS1GHE3/61TUS1G-TP
Корпус микросхемы
Корпус
DO-214AC, SMA
Производитель
Производитель
Vishay/General SemiconductorDiodes IncDiodes IncVishay/General SemiconductorVishay/General SemiconductorVishay/General SemiconductorVishay/General SemiconductorMicro Commercial Co
Прямое напряжение
UF
1 ВI = 1A1.3 ВI = 1A1.3 ВI = 1A1 ВI = 1A1 ВI = 1A1 ВI = 1A1 ВI = 1A1.4 ВI = 1A
Обратное напряжение
UR
<400 В
Прямой ток
IF
<1 А
Обратный ток
IR
10 мкАU = 400V5 мкАU = 400V5 мкАU = 400V10 мкАU = 400V10 мкАU = 400V10 мкАU = 400V10 мкАU = 400V10 мкАU = 400V
Частота
f
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Емкость диода
CD
(не задано)20 пФ20 пФ(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
Время восстановления
tREC
50 нс
Технология диода
Технология
Стандарт
Класс скорости диода
Скорость
Fast Recovery