На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | UGB8GT-E3/81 | UGB8GTHE3/45 | UGB8GTHE3/81 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Производитель | Производитель | Vishay/General Semiconductor | ||
Прямое напряжение | UF | 1.25 ВI = 8A | ||
Обратное напряжение | UR | <400 В | ||
Прямой ток | IF | <8 А | ||
Обратный ток | IR | 10 мкАU = 400V | ||
Частота | f | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Время восстановления | tREC | 50 нс | ||
Технология диода | Технология | Стандарт | ||
Класс скорости диода | Скорость | Fast Recovery | ||