На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | UGB8BT-E3/45 | UGB8BT-E3/81 | UGB8BTHE3/45 | UGB8BTHE3/81 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||
Производитель | Производитель | Vishay/General Semiconductor | |||
Прямое напряжение | UF | 1 ВI = 8A | |||
Обратное напряжение | UR | <100 В | |||
Прямой ток | IF | <8 А | |||
Обратный ток | IR | 10 мкАU = 100V | |||
Частота | f | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Время восстановления | tREC | 30 нс | |||
Технология диода | Технология | Стандарт | |||
Класс скорости диода | Скорость | Fast Recovery | |||