На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SIDC11D60SIC3 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | Wafer |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies |
Прямое напряжение | UF | 1.9 ВI = 4A |
Обратное напряжение | UR | <600 В |
Прямой ток | IF | <4 А |
Обратный ток | IR | 200 мкАU = 600V |
Частота | f | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Время восстановления | tREC | |
Технология диода | Технология | Silicon Carbide |
Класс скорости диода | Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |