На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SIDC09D60E6 | SIDC09D60E6 UNSAWN | SIDC09D60E6Y | SIDC09D60F6 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | Wafer | |||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |||
Прямое напряжение | UF | 1.7 ВI = 20A | 1.7 ВI = 20A | 1.7 ВI = 20A | 1.45 ВI = 30A |
Обратное напряжение | UR | <600 В | |||
Прямой ток | IF | <20 А | <20 А | <20 А | <30 А |
Обратный ток | IR | 27 мкАU = 600V | |||
Частота | f | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Время восстановления | tREC | 150 нс | 150 нс | 150 нс | 126 нс |
Технология диода | Технология | Стандарт | |||
Класс скорости диода | Скорость | Fast Recovery | |||