На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SDT10S30 | SDT10S60 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220AC | TO-220-2 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Прямое напряжение | UF | 1.7 ВI = 10A | |
Обратное напряжение | UR | <300 В | <600 В |
Прямой ток | IF | <10 А | |
Обратный ток | IR | 200 мкАU = 300V | 350 мкАU = 600V |
Частота | f | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Емкость диода | CD | 600 пФ | 350 пФ |
Время восстановления | tREC | ||
Технология диода | Технология | Silicon Carbide | |
Класс скорости диода | Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
Серия диодов | Серия | thinQ!™ | |