На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SBR02M30LP-7 | SBR02U100LP-7 | SBR02U30LP-7 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 2-DFN | ||
Производитель | Производитель | Diodes Inc | ||
Прямое напряжение | UF | 610 мВI = 200mA | 800 мВI = 200mA | 480 мВI = 200mA |
Обратное напряжение | UR | <30 В | <100 В | <30 В |
Прямой ток | IF | <200 мА | <250 мА | <200 мА |
Обратный ток | IR | 500 нАU = 30V | 1 мкАU = 75V | 50 мкАU = 30V |
Частота | f | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | (не задано) | Поверхностный | (не задано) |
Технология диода | Технология | Schottky | ||
Класс скорости диода | Скорость | Small Signal =< 200ma | Fast Recovery | Small Signal =< 200ma |
Серия диодов | Серия | SBR® | ||