На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SBLB10L25-E3/81 | SBLB10L25HE3/81 | SBLB10L30-E3/45 | SBLB10L30-E3/81 | SBLB10L30HE3/45 | SBLB10L30HE3/81 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||||
Производитель | Производитель | Vishay/General Semiconductor | |||||
Прямое напряжение | UF | 460 мВI = 10A | 460 мВI = 10A | 520 мВI = 10A | 520 мВI = 10A | 520 мВI = 10A | 520 мВI = 10A |
Обратное напряжение | UR | <25 В | <25 В | <30 В | <30 В | <30 В | <30 В |
Прямой ток | IF | <10 А | |||||
Обратный ток | IR | 800 мкАU = 25V | 800 мкАU = 25V | 1 мАU = 30V | 1 мАU = 30V | 1 мАU = 30V | 1 мАU = 30V |
Частота | f | ||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Технология диода | Технология | Schottky | |||||
Класс скорости диода | Скорость | Fast Recovery | |||||