SBG1030L-T-F

SBG1030, SBG1030L-T-F

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSBG1030L-T-F
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Прямое напряжение
UF
450 мВI = 10A
Обратное напряжение
UR
<30 В
Прямой ток
IF
<10 А
Обратный ток
IR
1 мАU = 30V
Частота
f
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Технология диода
Технология
Schottky
Класс скорости диода
Скорость
Fast Recovery