На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SB1100E-G | SB1100-T | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DO-41, Axial | |
Производитель | Производитель | Comchip Technology | Diodes Inc |
Прямое напряжение | UF | 850 мВI = 1A | 800 мВI = 1A |
Обратное напряжение | UR | <100 В | |
Прямой ток | IF | <1 А | |
Обратный ток | IR | 500 мкАU = 100V | |
Частота | f | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Емкость диода | CD | 110 пФ | |
Технология диода | Технология | Schottky | |
Класс скорости диода | Скорость | Fast Recovery | |