S1P

S1P, S1PA-E3/85A, S1PAHE3/84A, S1PAHE3/85A, S1PA-M3/84A, S1PB-E3/85A, S1PBHE3/84A, S1PBHE3/85A, S1PB-M3/84A, S1PD-E3/85A, S1PDHE3/84A, S1PDHE3/85A, S1PD-M3/84A, S1PG-E3/85A, S1PGHE3/84A, S1PGHE3/85A, S1PG-M3/84A, S1PJ-E3/85A, S1PJHE3/84A, S1PJHE3/85A, S1PJ-M3/84A, S1PK-E3/84A, S1PK-E3/85A, S1PKHE3/84A, S1PKHE3/85A, S1PM-E3/85A, S1PMHE3/84A, S1PMHE3/85A, S1PM-M3/84A

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрS1PA-E3/85AS1PAHE3/84AS1PAHE3/85AS1PA-M3/84AS1PB-E3/85AS1PBHE3/84AS1PBHE3/85AS1PB-M3/84AS1PD-E3/85AS1PDHE3/84AS1PDHE3/85AS1PD-M3/84AS1PG-E3/85AS1PGHE3/84AS1PGHE3/85AS1PG-M3/84AS1PJ-E3/85AS1PJHE3/84AS1PJHE3/85AS1PJ-M3/84AS1PK-E3/84AS1PK-E3/85AS1PKHE3/84AS1PKHE3/85AS1PM-E3/85AS1PMHE3/84AS1PMHE3/85AS1PM-M3/84A
Корпус микросхемы
Корпус
DO-220AA (SMP)
Производитель
Производитель
Vishay/General Semiconductor
Прямое напряжение
UF
1.1 ВI = 1A
Обратное напряжение
UR
<50 В<50 В<50 В<50 В<100 В<100 В<100 В<100 В<200 В<200 В<200 В<200 В<400 В<400 В<400 В<400 В<600 В<600 В<600 В<600 В<800 В<800 В<800 В<800 В<1 кВ<1 кВ<1 кВ<1 кВ
Прямой ток
IF
<1 А
Обратный ток
IR
1 мкАU = 50V1 мкАU = 50V1 мкАU = 50V1 мкАU = 50V1 мкАU = 100V1 мкАU = 100V1 мкАU = 100V1 мкАU = 100V1 мкАU = 200V1 мкАU = 200V1 мкАU = 200V1 мкАU = 200V1 мкАU = 400V1 мкАU = 400V1 мкАU = 400V1 мкАU = 400V1 мкАU = 600V1 мкАU = 600V1 мкАU = 600V1 мкАU = 600V1 мкАU = 800V1 мкАU = 800V1 мкАU = 800V1 мкАU = 800V1 мкАU = 1000V1 мкАU = 1000V1 мкАU = 1000V1 мкАU = 1000V
Частота
f
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Время восстановления
tREC
1.8 мкс
Технология диода
Технология
Стандарт
Класс скорости диода
Скорость
Standard Recovery >500ns
Серия диодов
Серия
eSMP™