Доход от майнинга

S1M

S1M, S1M/1, S1M-13, S1M-13-F, S1MA-E3/5AT, S1MA-E3/61T, S1MB-13, S1MB-13-F, S1M-E3/5AT, S1M-E3/61T, S1MHE3/5AT, S1MHE3/61T

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрS1M/1S1M-13S1M-13-FS1MA-E3/5ATS1MA-E3/61TS1MB-13S1MB-13-FS1M-E3/5ATS1M-E3/61TS1MHE3/5ATS1MHE3/61T
Корпус микросхемы
Корпус
DO-214AC, SMA, DO-214AC, SMADO-214AC, SMA, DO-214AC, SMADO-214AC, SMA, DO-214AC, SMADO-214AC, SMA, DO-214AC, SMADO-214AC, SMA, DO-214AC, SMADO-214AC, SMA, DO-214AA, SMBDO-214AC, SMA, DO-214AA, SMBDO-214AC, SMA, DO-214AC, SMADO-214AC, SMA, DO-214AC, SMADO-214AC, SMA, DO-214AC, SMADO-214AC, SMA, DO-214AC, SMA
Производитель
Производитель
Vishay/General SemiconductorDiodes IncDiodes IncVishay/General SemiconductorVishay/General SemiconductorDiodes IncDiodes IncVishay/General SemiconductorVishay/General SemiconductorVishay/General SemiconductorVishay/General Semiconductor
Прямое напряжение
UF
1.1 ВI = 1A
Обратное напряжение
UR
<1 кВ
Прямой ток
IF
<1 А
Обратный ток
IR
5 мкАU = 1000V5 мкАU = 1000V5 мкАU = 1000V3 мкАU = 1000V3 мкАU = 1000V5 мкАU = 1000V5 мкАU = 1000V5 мкАU = 1000V5 мкАU = 1000V5 мкАU = 1000V5 мкАU = 1000V
Частота
f
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Емкость диода
CD
12 пФ10 пФ10 пФ12 пФ12 пФ10 пФ10 пФ12 пФ12 пФ12 пФ12 пФ
Время восстановления
tREC
1.8 мкс3 мкс3 мкс1 мкс1 мкс3 мкс3 мкс1.8 мкс1.8 мкс1.8 мкс1.8 мкс
Технология диода
Технология
Стандарт
Класс скорости диода
Скорость
Standard Recovery >500ns