PRLL5818,115

PRLL5818, PRLL5818,115

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPRLL5818,115
Корпус микросхемы
Корпус
LLDL (SOD87)
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Прямое напряжение
UF
550 мВI = 1A
Обратное напряжение
UR
<30 В
Прямой ток
IF
<1 А
Обратный ток
IR
1 мАU = 30V
Частота
f
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Емкость диода
CD
50 пФ
Технология диода
Технология
Schottky
Класс скорости диода
Скорость
Fast Recovery