PMEG3010BEP,115

PMEG3010, PMEG3010BEA,115, PMEG3010BEP,115, PMEG3010BER,115, PMEG3010BEV,115, PMEG3010CEH,115, PMEG3010CEJ,115, PMEG3010EB,115, PMEG3010EH,115, PMEG3010EJ,115, PMEG3010EP,115, PMEG3010ER,115, PMEG3010ET,215

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPMEG3010BEA,115PMEG3010BEP,115PMEG3010BER,115PMEG3010BEV,115PMEG3010CEH,115PMEG3010CEJ,115PMEG3010EB,115PMEG3010EH,115PMEG3010EJ,115PMEG3010EP,115PMEG3010ER,115PMEG3010ET,215
Корпус микросхемы
Корпус
SC-76, SOD-323, UMD2SOD-128 Flat LeadsSOD-123 Flat LeadsSS Mini-6 (SOT-666)SOD-123 Flat LeadsSC-90, SOD-323FSC-79, SOD-523SOD-123 Flat LeadsSC-90, SOD-323FSOD-128 Flat LeadsSOD-123 Flat LeadsSOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Прямое напряжение
UF
560 мВI = 1A450 мВI = 1A450 мВI = 1A560 мВI = 1A520 мВI = 1A520 мВI = 1A560 мВI = 1A560 мВI = 1A560 мВI = 1A360 мВI = 1A360 мВI = 1A560 мВI = 1A
Обратное напряжение
UR
<30 В
Прямой ток
IF
<1 А
Обратный ток
IR
150 мкАU = 30V50 мкАU = 30V50 мкАU = 30V150 мкАU = 30V50 мкАU = 30V50 мкАU = 30V150 мкАU = 30V150 мкАU = 30V150 мкАU = 30V1.5 мАU = 30V1.5 мАU = 30V150 мкАU = 30V
Частота
f
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Емкость диода
CD
70 пФ170 пФ170 пФ70 пФ100 пФ100 пФ70 пФ70 пФ70 пФ170 пФ170 пФ70 пФ
Технология диода
Технология
Schottky
Класс скорости диода
Скорость
Fast Recovery