PMEG2010

PMEG2010, PMEG2010AEB,115, PMEG2010AEH,115, PMEG2010AEJ,115, PMEG2010AEK,115, PMEG2010AET,215, PMEG2010BEA,115, PMEG2010BER,115, PMEG2010BEV,115, PMEG2010EA,115, PMEG2010EH,115, PMEG2010EJ,115, PMEG2010ER,115, PMEG2010ET,215, PMEG2010EV,115

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPMEG2010AEB,115PMEG2010AEH,115PMEG2010AEJ,115PMEG2010AEK,115PMEG2010AET,215PMEG2010BEA,115PMEG2010BER,115PMEG2010BEV,115PMEG2010EA,115PMEG2010EH,115PMEG2010EJ,115PMEG2010ER,115PMEG2010ET,215PMEG2010EV,115
Корпус микросхемы
Корпус
SC-79, SOD-523SOD-123 Flat LeadsSC-90, SOD-323FSC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-76, SOD-323, UMD2SOD-123 Flat LeadsSS Mini-6 (SOT-666)SC-76, SOD-323, UMD2SOD-123 Flat LeadsSC-90, SOD-323FSOD-123 Flat LeadsSOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SS Mini-6 (SOT-666)
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Прямое напряжение
UF
620 мВI = 1A430 мВI = 1A550 мВI = 1A450 мВI = 1A430 мВI = 1A500 мВI = 1A450 мВI = 1A500 мВI = 1A500 мВI = 1A500 мВI = 1A500 мВI = 1A340 мВI = 1A500 мВI = 1A500 мВI = 1A
Обратное напряжение
UR
<20 В
Прямой ток
IF
<1 А
Обратный ток
IR
1.5 мАU = 20V200 мкАU = 20V70 мкАU = 20V200 мкАU = 20V200 мкАU = 20V200 мкАU = 20V50 мкАU = 20V200 мкАU = 20V200 мкАU = 20V200 мкАU = 20V200 мкАU = 20V1 мАU = 20V200 мкАU = 20V200 мкАU = 20V
Частота
f
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Емкость диода
CD
25 пФ70 пФ50 пФ70 пФ70 пФ80 пФ67 пФ80 пФ80 пФ80 пФ80 пФ175 пФ80 пФ80 пФ
Технология диода
Технология
Schottky
Класс скорости диода
Скорость
Fast Recovery