PDS4200H-13

PDS4200, PDS4200H-13

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPDS4200H-13
Корпус микросхемы
Корпус
PowerDI™ 5
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Прямое напряжение
UF
840 мВI = 4A
Обратное напряжение
UR
<200 В
Прямой ток
IF
<4 А
Обратный ток
IR
1 мкАU = 200V
Частота
f
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Время восстановления
tREC
25 нс
Технология диода
Технология
Schottky
Класс скорости диода
Скорость
Fast Recovery