NSB8AT-E3/45

NSB8, NSB8AT-E3/45, NSB8AT-E3/81, NSB8ATHE3/45, NSB8ATHE3/81, NSB8BT-E3/45, NSB8BT-E3/81, NSB8BTHE3/45, NSB8BTHE3/81, NSB8DT-E3/45, NSB8DT-E3/81, NSB8DTHE3/45, NSB8DTHE3/81, NSB8GT-E3/81, NSB8GTHE3/45, NSB8GTHE3/81, NSB8JT-E3/45, NSB8JT-E3/81, NSB8JTHE3/45, NSB8JTHE3/81, NSB8KT-E3/45, NSB8KT-E3/81, NSB8KTHE3/45, NSB8KTHE3/81, NSB8MT-E3/45, NSB8MT-E3/81, NSB8MTHE3/45, NSB8MTHE3/81

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNSB8AT-E3/45NSB8AT-E3/81NSB8ATHE3/45NSB8ATHE3/81NSB8BT-E3/45NSB8BT-E3/81NSB8BTHE3/45NSB8BTHE3/81NSB8DT-E3/45NSB8DT-E3/81NSB8DTHE3/45NSB8DTHE3/81NSB8GT-E3/81NSB8GTHE3/45NSB8GTHE3/81NSB8JT-E3/45NSB8JT-E3/81NSB8JTHE3/45NSB8JTHE3/81NSB8KT-E3/45NSB8KT-E3/81NSB8KTHE3/45NSB8KTHE3/81NSB8MT-E3/45NSB8MT-E3/81NSB8MTHE3/45NSB8MTHE3/81
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
Vishay/General Semiconductor
Прямое напряжение
UF
1.1 ВI = 8A
Обратное напряжение
UR
<50 В<50 В<50 В<50 В<100 В<100 В<100 В<100 В<200 В<200 В<200 В<200 В<400 В<400 В<400 В<600 В<600 В<600 В<600 В<800 В<800 В<800 В<800 В<1 кВ<1 кВ<1 кВ<1 кВ
Прямой ток
IF
<8 А
Обратный ток
IR
10 мкАU = 50V10 мкАU = 50V10 мкАU = 50V10 мкАU = 50V10 мкАU = 100V10 мкАU = 100V10 мкАU = 100V10 мкАU = 100V10 мкАU = 200V10 мкАU = 200V10 мкАU = 200V10 мкАU = 200V10 мкАU = 400V10 мкАU = 400V10 мкАU = 400V10 мкАU = 600V10 мкАU = 600V10 мкАU = 600V10 мкАU = 600V10 мкАU = 800V10 мкАU = 800V10 мкАU = 800V10 мкАU = 800V10 мкАU = 1000V10 мкАU = 1000V10 мкАU = 1000V10 мкАU = 1000V
Частота
f
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Технология диода
Технология
Стандарт
Класс скорости диода
Скорость
Standard Recovery >500ns