На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MBRD835L | MBRD835LG | MBRD835L-T | MBRD835LT4 | MBRD835LT4G | MBRD835L-T-F | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Diodes Inc | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Diodes Inc |
Прямое напряжение | UF | 510 мВI = 8A | |||||
Обратное напряжение | UR | <35 В | |||||
Прямой ток | IF | <8 А | |||||
Обратный ток | IR | 1.4 мАU = 35V | |||||
Частота | f | ||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Технология диода | Технология | Schottky | |||||
Класс скорости диода | Скорость | Fast Recovery | |||||
Серия диодов | Серия | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ | (не задано) | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ | (не задано) |