MBRD1045T4G

MBRD1045, MBRD1045T4G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMBRD1045T4G
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Прямое напряжение
UF
840 мВI = 20A
Обратное напряжение
UR
<45 В
Прямой ток
IF
<10 А
Обратный ток
IR
100 мкАU = 45V
Частота
f
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Технология диода
Технология
Schottky
Класс скорости диода
Скорость
Fast Recovery
Серия диодов
Серия
SWITCHMODE™