На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MBRB8H100T4G | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor |
Прямое напряжение | UF | 710 мВI = 8A |
Обратное напряжение | UR | <100 В |
Прямой ток | IF | <8 А |
Обратный ток | IR | 4.5 мкАU = 100V |
Частота | f | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Технология диода | Технология | Schottky |
Класс скорости диода | Скорость | Fast Recovery |
Серия диодов | Серия | SWITCHMODE™ |