На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IDH10S120 | IDH10SG60C | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-2 | |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Прямое напряжение | UF | 1.8 ВI = 10A | 2.1 ВI = 10A |
Обратное напряжение | UR | <1.2 кВ | <600 В |
Прямой ток | IF | <10 А | |
Обратный ток | IR | 240 мкАU = 1200V | 90 мкАU = 600V |
Частота | f | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Емкость диода | CD | 500 пФ | 290 пФ |
Технология диода | Технология | Schottky | |
Класс скорости диода | Скорость | Fast Recovery | |
Серия диодов | Серия | thinQ!™ | |