IDD10SG60C

IDD10, IDD10SG60C

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIDD10SG60C
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
Infineon Technologies
Прямое напряжение
UF
2.1 ВI = 10A
Обратное напряжение
UR
<600 В
Прямой ток
IF
<10 А
Обратный ток
IR
90 мкАU = 600V
Частота
f
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Емкость диода
CD
290 пФ
Технология диода
Технология
Schottky
Класс скорости диода
Скорость
Fast Recovery
Серия диодов
Серия
thinQ!™