FES8ATHE3/45

FES8, FES8AT-E3/45, FES8ATHE3/45, FES8BT-E3/45, FES8BTHE3/45, FES8CT-E3/45, FES8CTHE3/45, FES8DT/45, FES8DT-E3/45, FES8DTHE3/45, FES8FT-E3/45, FES8FTHE3/45, FES8GT/45, FES8GT-E3/45, FES8GTHE3/45, FES8HT-E3/45, FES8HTHE3/45, FES8JT/45, FES8JT-E3/45, FES8JTHE3/45

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		FES8AT-E3/45	FES8ATHE3/45	FES8BT-E3/45	FES8BTHE3/45	FES8CT-E3/45	FES8CTHE3/45	FES8DT/45	FES8DT-E3/45	FES8DTHE3/45	FES8FT-E3/45	FES8FTHE3/45	FES8GT/45	FES8GT-E3/45	FES8GTHE3/45	FES8HT-E3/45	FES8HTHE3/45	FES8JT/45	FES8JT-E3/45	FES8JTHE3/45
Корпус микросхемы	Корпус	TO-220-2 (Straight Leads)
Производитель	Производитель	Vishay/General Semiconductor
Прямое напряжение	U_F	950 мВI = 8A	950 мВI = 8A	950 мВI = 8A	950 мВI = 8A	950 мВI = 8A	950 мВI = 8A	950 мВI = 8A	950 мВI = 8A	950 мВI = 8A	1.3 ВI = 8A	1.3 ВI = 8A	1.3 ВI = 8A	1.3 ВI = 8A	1.3 ВI = 8A	1.5 ВI = 8A	1.5 ВI = 8A	1.5 ВI = 8A	1.5 ВI = 8A	1.5 ВI = 8A
Обратное напряжение	U_R	<50 В	<50 В	<100 В	<100 В	<150 В	<150 В	<200 В	<200 В	<200 В	<300 В	<300 В	<400 В	<400 В	<400 В	<500 В	<500 В	<600 В	<600 В	<600 В
Прямой ток	I_F	<8 А
Обратный ток	I_R	10 мкАU = 50V	10 мкАU = 50V	10 мкАU = 100V	10 мкАU = 100V	10 мкАU = 150V	10 мкАU = 150V	10 мкАU = 200V	10 мкАU = 200V	10 мкАU = 200V	10 мкАU = 300V	10 мкАU = 300V	10 мкАU = 400V	10 мкАU = 400V	10 мкАU = 400V	10 мкАU = 500V	10 мкАU = 500V	10 мкАU = 600V	10 мкАU = 600V	10 мкАU = 600V
Частота	f
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	В отверстия
Время восстановления	t_REC	35 нс	35 нс	35 нс	35 нс	35 нс	35 нс	35 нс	35 нс	35 нс	50 нс	50 нс	50 нс	50 нс	50 нс	50 нс	50 нс	50 нс	50 нс	50 нс
Технология диода	Технология	Стандарт
Класс скорости диода	Скорость	Fast Recovery