BYWB29

BYWB29, BYWB29-100-E3/45, BYWB29-100-E3/81, BYWB29-100HE3/45, BYWB29-100HE3/81, BYWB29-150-E3/45, BYWB29-150-E3/81, BYWB29-150HE3/45, BYWB29-150HE3/81, BYWB29-200-E3/45, BYWB29-200-E3/81, BYWB29-200HE3/45, BYWB29-200HE3/81, BYWB29-50-E3/45, BYWB29-50-E3/81, BYWB29-50HE3/45, BYWB29-50HE3/81

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBYWB29-100-E3/45BYWB29-100-E3/81BYWB29-100HE3/45BYWB29-100HE3/81BYWB29-150-E3/45BYWB29-150-E3/81BYWB29-150HE3/45BYWB29-150HE3/81BYWB29-200-E3/45BYWB29-200-E3/81BYWB29-200HE3/45BYWB29-200HE3/81BYWB29-50-E3/45BYWB29-50-E3/81BYWB29-50HE3/45BYWB29-50HE3/81
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
Vishay/General Semiconductor
Прямое напряжение
UF
1.3 ВI = 20A
Обратное напряжение
UR
<100 В<100 В<100 В<100 В<150 В<150 В<150 В<150 В<200 В<200 В<200 В<200 В<50 В<50 В<50 В<50 В
Прямой ток
IF
<8 А
Обратный ток
IR
10 мкАU = 100V10 мкАU = 100V10 мкАU = 100V10 мкАU = 100V10 мкАU = 150V10 мкАU = 150V10 мкАU = 150V10 мкАU = 150V10 мкАU = 200V10 мкАU = 200V10 мкАU = 200V10 мкАU = 200V10 мкАU = 50V10 мкАU = 50V10 мкАU = 50V10 мкАU = 50V
Частота
f
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Время восстановления
tREC
25 нс
Технология диода
Технология
Стандарт
Класс скорости диода
Скорость
Fast Recovery