BYW4200B-TR

BYW4200, BYW4200B-TR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBYW4200B-TR
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Прямое напряжение
UF
1.25 ВI = 12A
Обратное напряжение
UR
<200 В
Прямой ток
IF
<4 А
Обратный ток
IR
10 мкАU = 200V
Частота
f
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Время восстановления
tREC
35 нс
Технология диода
Технология
Стандарт
Класс скорости диода
Скорость
Fast Recovery