BYG22

BYG22, BYG22A-E3/TR, BYG22A-E3/TR3, BYG22AHE3/TR, BYG22AHE3/TR3, BYG22B-E3/TR, BYG22B-E3/TR3, BYG22BHE3/TR, BYG22BHE3/TR3, BYG22D-E3/TR, BYG22D-E3/TR3, BYG22DHE3/TR, BYG22DHE3/TR3

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBYG22A-E3/TRBYG22A-E3/TR3BYG22AHE3/TRBYG22AHE3/TR3BYG22B-E3/TRBYG22B-E3/TR3BYG22BHE3/TRBYG22BHE3/TR3BYG22D-E3/TRBYG22D-E3/TR3BYG22DHE3/TRBYG22DHE3/TR3
Корпус микросхемы
Корпус
DO-214AC, SMA
Производитель
Производитель
Vishay/General Semiconductor
Прямое напряжение
UF
1.1 ВI = 2A
Обратное напряжение
UR
<50 В<50 В<50 В<50 В<150 В<150 В<150 В<150 В<200 В<200 В<200 В<200 В
Прямой ток
IF
<2 А
Обратный ток
IR
1 мкАU = 50V1 мкАU = 50V1 мкАU = 50V1 мкАU = 50V1 мкАU = 150V1 мкАU = 150V1 мкАU = 150V1 мкАU = 150V1 мкАU = 200V1 мкАU = 200V1 мкАU = 200V1 мкАU = 200V
Частота
f
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Время восстановления
tREC
25 нс
Технология диода
Технология
Avalanche
Класс скорости диода
Скорость
Fast Recovery