На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BYG10D-E3/TR | BYG10D-E3/TR3 | BYG10DHE3/TR | BYG10DHE3/TR3 | BYG10G-E3/TR | BYG10G-E3/TR3 | BYG10GHE3/TR | BYG10GHE3/TR3 | BYG10J-E3/TR | BYG10J-E3/TR3 | BYG10JHE3/TR | BYG10JHE3/TR3 | BYG10K-E3/TR | BYG10K-E3/TR3 | BYG10KHE3/TR | BYG10KHE3/TR3 | BYG10M-E3/TR | BYG10M-E3/TR3 | BYG10MHE3/TR | BYG10MHE3/TR3 | BYG10Y-E3/TR | BYG10Y-E3/TR3 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DO-214AC, SMA | |||||||||||||||||||||
Производитель | Производитель | Vishay/General Semiconductor | |||||||||||||||||||||
Прямое напряжение | UF | 1.15 ВI = 1.5A | |||||||||||||||||||||
Обратное напряжение | UR | <200 В | <200 В | <200 В | <200 В | <400 В | <400 В | <400 В | <400 В | <600 В | <600 В | <600 В | <600 В | <800 В | <800 В | <800 В | <800 В | <1 кВ | <1 кВ | <1 кВ | <1 кВ | <1.6 кВ | <1.6 кВ |
Прямой ток | IF | <1.5 А | |||||||||||||||||||||
Обратный ток | IR | 1 мкАU = 200V | 1 мкАU = 200V | 1 мкАU = 200V | 1 мкАU = 200V | 1 мкАU = 400V | 1 мкАU = 400V | 1 мкАU = 400V | 1 мкАU = 400V | 1 мкАU = 600V | 1 мкАU = 600V | 1 мкАU = 600V | 1 мкАU = 600V | 1 мкАU = 800V | 1 мкАU = 800V | 1 мкАU = 800V | 1 мкАU = 800V | 1 мкАU = 1000V | 1 мкАU = 1000V | 1 мкАU = 1000V | 1 мкАU = 1000V | 1 мкАU = 1600V | 1 мкАU = 1600V |
Частота | f | ||||||||||||||||||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||||||||||||||||||
Время восстановления | tREC | 4 мкс | |||||||||||||||||||||
Технология диода | Технология | Avalanche | |||||||||||||||||||||
Класс скорости диода | Скорость | Standard Recovery >500ns | |||||||||||||||||||||