На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BAS216,115 | BAS216,135 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOD-110 | |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |
Прямое напряжение | UF | 1.25 ВI = 150mA | |
Обратное напряжение | UR | <75 В | |
Обратный ток | IR | 1 мкАU = 75V | |
Частота | f | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Емкость диода | CD | 1.5 пФ | |
Время восстановления | tREC | 4 нс | |
Технология диода | Технология | Стандарт | |
Класс скорости диода | Скорость | Fast Recovery | |