BAL99-7

BAL99, BAL99-7, BAL99-7-F, BAL99,215, BAL99E6327, BAL99E6433, BAL99LT1, BAL99LT1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBAL99-7BAL99-7-FBAL99,215BAL99E6327BAL99E6433BAL99LT1BAL99LT1G
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23
Производитель
Производитель
Diodes IncDiodes IncNXP SemiconductorsInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesON SemiconductorON Semiconductor
Прямое напряжение
UF
1.25 ВI = 150mA1.25 ВI = 150mA1.25 ВI = 150mA1.25 ВI = 150mA1.25 ВI = 150mA1 ВI = 50mA1 ВI = 50mA
Обратное напряжение
UR
<75 В<75 В<70 В<80 В<80 В<70 В<70 В
Обратный ток
IR
2.5 мкАU = 75V2.5 мкАU = 75V1 мкАU = 70V1 мкАU = 70V1 мкАU = 70V2.5 мкАU = 70V2.5 мкАU = 70V
Частота
f
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный(не задано)(не задано)
Емкость диода
CD
2 пФ2 пФ1.5 пФ1.5 пФ1.5 пФ(не задано)(не задано)
Время восстановления
tREC
4 нс4 нс4 нс4 нс4 нс(не задано)(не задано)
Технология диода
Технология
Стандарт
Класс скорости диода
Скорость
Fast RecoveryFast RecoveryFast RecoveryFast RecoveryFast RecoverySmall Signal =< 200maSmall Signal =< 200ma