На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 8EWS12S | 8EWS12STR | 8EWS12STRL | 8EWS12STRPBF | 8EWS12STRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||
Производитель | Производитель | Vishay/Semiconductors | Vishay/Semiconductors | Vishay/Semiconductors | Vishay IR | Vishay/Semiconductors |
Прямое напряжение | UF | 1.1 ВI = 8A | 1.1 ВI = 8A | 1.1 ВI = 8A | 1.1 ВI = 10A | 1.1 ВI = 8A |
Обратное напряжение | UR | <1.2 кВ | ||||
Прямой ток | IF | <8 А | <8 А | <8 А | <10 А | <8 А |
Обратный ток | IR | 50 мкАU = 1200V | 50 мкАU = 1200V | 50 мкАU = 1200V | 500 мкАU = 1200V | 50 мкАU = 1200V |
Частота | f | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Технология диода | Технология | Стандарт | ||||
Класс скорости диода | Скорость | Standard Recovery >500ns | ||||