На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 1N5822/54 | 1N5822-E3/51 | 1N5822-E3/54 | 1N5822-E3/73 | 1N5822G | 1N5822RL | 1N5822RLG | 1N5822-T | 1N5822-TP | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DO-201AD, Axial | ||||||||
Производитель | Производитель | Vishay/General Semiconductor | Vishay/General Semiconductor | Vishay/General Semiconductor | Vishay/General Semiconductor | ON Semiconductor | STMicroelectronics | ON Semiconductor | Diodes Inc | Micro Commercial Co |
Прямое напряжение | UF | 525 мВI = 3A | ||||||||
Обратное напряжение | UR | <40 В | ||||||||
Прямой ток | IF | <3 А | ||||||||
Обратный ток | IR | 2 мАU = 40V | 2 мАU = 40V | 2 мАU = 40V | 2 мАU = 40V | 2 мАU = 40V | 2 мАU = 40V | 2 мАU = 40V | 2 мАU = 40V | 500 мкАU = 40V |
Частота | f | |||||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||||||||
Емкость диода | CD | 190 пФ | ||||||||
Технология диода | Технология | Schottky | ||||||||
Класс скорости диода | Скорость | Fast Recovery | ||||||||