1N5818-E3/1

1N5818, 1N5818/54, 1N5818-E3/1, 1N5818-E3/54, 1N5818-E3/73, 1N5818G, 1N5818M-13, 1N5818RL, 1N5818RLG, 1N5818-T, 1N5818-TP, 1N5818TR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр1N5818/541N5818-E3/11N5818-E3/541N5818-E3/731N5818G1N5818M-131N5818RL1N5818RLG1N5818-T1N5818-TP1N5818TR
Корпус микросхемы
Корпус
DO-204AL, DO-41, Axial, DO-204AL, Axial (DO-41)DO-204AL, DO-41, Axial, DO-204AL, Axial (DO-41)DO-204AL, DO-41, Axial, DO-204AL, Axial (DO-41)DO-204AL, DO-41, Axial, DO-204AL, Axial (DO-41)DO-204AL, DO-41, Axial, DO-41, AxialDO-204AL, DO-41, Axial, MELF (DL-41)DO-204AL, DO-41, Axial, DO-41, AxialDO-204AL, DO-41, Axial, DO-41, AxialDO-204AL, DO-41, Axial, DO-41, AxialDO-204AL, DO-41, Axial, DO-41, AxialDO-204AL, DO-41, Axial, DO-41, Axial
Производитель
Производитель
Vishay/General SemiconductorVishay/General SemiconductorVishay/General SemiconductorVishay/General SemiconductorON SemiconductorDiodes IncON SemiconductorON SemiconductorDiodes IncMicro Commercial CoVishay/Semiconductors
Прямое напряжение
UF
550 мВI = 1A
Обратное напряжение
UR
<30 В
Прямой ток
IF
<1 А
Обратный ток
IR
1 мАU = 30V
Частота
f
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстия
Емкость диода
CD
110 пФ
Технология диода
Технология
Schottky
Класс скорости диода
Скорость
Fast Recovery