1N5817-E3/73

1N5817, 1N5817/54, 1N5817-E3/54, 1N5817-E3/73, 1N5817G, 1N5817M-13, 1N5817RL, 1N5817RLG, 1N5817-T, 1N5817-TP

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр1N5817/541N5817-E3/541N5817-E3/731N5817G1N5817M-131N5817RL1N5817RLG1N5817-T1N5817-TP
Корпус микросхемы
Корпус
DO-41, Axial, DO-204AL, Axial (DO-41)DO-41, Axial, DO-204AL, Axial (DO-41)DO-41, Axial, DO-204AL, Axial (DO-41)DO-41, Axial, DO-41, AxialDO-41, Axial, MELF (DL-41)DO-41, Axial, DO-41, AxialDO-41, Axial, DO-41, AxialDO-41, Axial, DO-41, AxialDO-41, Axial, DO-41, Axial
Производитель
Производитель
Vishay/General SemiconductorVishay/General SemiconductorVishay/General SemiconductorON SemiconductorDiodes IncON SemiconductorON SemiconductorDiodes IncMicro Commercial Co
Прямое напряжение
UF
450 мВI = 1A
Обратное напряжение
UR
<20 В
Прямой ток
IF
<1 А
Обратный ток
IR
1 мАU = 20V
Частота
f
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстия
Емкость диода
CD
110 пФ
Технология диода
Технология
Schottky
Класс скорости диода
Скорость
Fast Recovery