На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 1N5806 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | Axial |
Производитель | Производитель | Microsemi |
Прямое напряжение | UF | 875 мВI = 1A |
Обратное напряжение | UR | <150 В |
Прямой ток | IF | <2.5 А |
Обратный ток | IR | 1 мкАU = 150V |
Частота | f | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Время восстановления | tREC | 25 нс |
Технология диода | Технология | Стандарт |
Класс скорости диода | Скорость | Fast Recovery |