183NQ080R

183NQ080, 183NQ080R

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр183NQ080R
Корпус микросхемы
Корпус
D-67 HALF-PAK
Производитель
Производитель
Vishay/Semiconductors
Прямое напряжение
UF
950 мВI = 180A
Обратное напряжение
UR
<80 В
Прямой ток
IF
<180 А
Обратный ток
IR
4.5 мАU = 80V
Частота
f
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Технология диода
Технология
Schottky
Класс скорости диода
Скорость
Fast Recovery