100BGQ045

100BGQ045, 100BGQ045J

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр100BGQ045J
Корпус микросхемы
Корпус
PowerTab™, PowIRtab™ (J)
Производитель
Производитель
Vishay/Semiconductors
Прямое напряжение
UF
730 мВI = 100A
Обратное напряжение
UR
<45 В
Прямой ток
IF
<100 А
Обратный ток
IR
1 мАU = 45V
Частота
f
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Технология диода
Технология
Schottky
Класс скорости диода
Скорость
Fast Recovery