100BGQ030

100BGQ030, 100BGQ030J

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр100BGQ030J
Корпус микросхемы
Корпус
PowerTab™, PowIRtab™ (J)
Производитель
Производитель
Vishay/Semiconductors
Прямое напряжение
UF
580 мВI = 100A
Обратное напряжение
UR
<30 В
Прямой ток
IF
<100 А
Обратный ток
IR
2.4 мАU = 30V
Частота
f
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Технология диода
Технология
Schottky
Класс скорости диода
Скорость
Fast Recovery