На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | П602И | П602АИ | |
|---|---|---|---|
Импульсный ток коллектора транзистора | IC-i | <1.5 А | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <30 В | <25 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <3 Вт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | 40 ~ 100 | 80 ~ 200 |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | 2 В | |
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | 100 мкА | 130 мкА |
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер и заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер | ICE-rR | 1 мА | |
Температура корпуса | tC | -60 ~ 70 | |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |
Напряжение насыщения между базой и эмиттером транзистора | UBE-sat | 1.5 В | |
Емкость коллектора | CC | 170 пФ | |
Емкость эмиттера | CE | 2.5 нФ | |