На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | П216А | П216Б | П216В | П216Г | П216Д | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <7.5 А | ||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <40 В | <30 В | <30 В | <50 В | <50 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <30 Вт | <24 Вт | <24 Вт | <24 Вт | <24 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | 18 | ||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | 750 мВ | 500 мВ | 500 мВ | 500 мВ | 500 мВ |
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | 500 мкА | 1.5 мА | 2 мА | 2.5 мА | 2 мА |
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер и заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер | ICE-rR | 400 мкА | 750 мкА | 750 мкА | 750 мкА | 750 мкА |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 100 кГц | ||||
Температура корпуса | tC | -60 ~ 70 | ||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||||
Напряжение насыщения между базой и эмиттером транзистора | UBE-sat | 1.5 В | ||||