На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | П215 | |
|---|---|---|
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <5 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <80 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <10 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | 20 ~ 150 |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | 900 мВ |
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | 300 мкА |
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер и заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер | ICE-rR | 300 мкА |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 150 кГц |
Температура корпуса | tC | -60 ~ 70 |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP |
Напряжение насыщения между базой и эмиттером транзистора | UBE-sat | 1.2 В |