На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | П214А | П214Б | П214В | П214Г | |
|---|---|---|---|---|---|
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <5 А | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <55 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <10 Вт | <11.5 Вт | <10 Вт | <10 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | 50 ~ 150 | 20 ~ 150 | 20 | 20 ~ 60 |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | 900 мВ | 900 мВ | 2.5 В | 2.5 В |
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | 300 мкА | 1.5 мА | 1.5 мА | 1.5 мА |
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер и заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер | ICE-rR | 300 мкА | 300 мкА | 400 мкА | 400 мкА |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 150 кГц | |||
Температура корпуса | tC | -60 ~ 70 | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||
Напряжение насыщения между базой и эмиттером транзистора | UBE-sat | 1.2 В | 900 мВ | 1.2 В | 1.2 В |