На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | П213А | П213Б | |
|---|---|---|---|
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <5 А | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <30 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <10 Вт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | 20 | 40 |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | 500 мВ | 2.5 В |
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | 1 мА | |
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер и заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер | ICE-rR | 400 мкА | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 150 кГц | |
Температура корпуса | tC | -60 ~ 70 | |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |
Напряжение насыщения между базой и эмиттером транзистора | UBE-sat | 750 мВ | |