На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | П4АЭ | П4БЭ | П4ВЭ | П4ГЭ | П4ДЭ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <5 А | ||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | <60 В | <35 В | <50 В | <50 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <20 Вт | <25 Вт | <25 Вт | <25 Вт | <25 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | 5 | 15 ~ 40 | 10 | 15 ~ 30 | 30 |
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | 500 мкА | 400 мкА | 400 мкА | 400 мкА | 400 мкА |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 150 кГц | ||||
Температура корпуса | tC | -60 ~ 70 | ||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||||