На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | П416А | П416Б | |
|---|---|---|---|
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <25 мА | |
Импульсный ток коллектора транзистора | IC-i | <120 мА | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <15 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <100 мВт | |
Импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC-i | <360 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | 60 ~ 125 | 90 ~ 200 |
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | 5 мкА | |
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер и заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер | ICE-rR | 100 мкА | |
Температура корпуса | tC | -60 ~ 70 | |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |