П415

П415, П415А, П415Б

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрП415АП415Б
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<10 мА
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<30 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<10 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<100 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
60 ~ 120100 ~ 200
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
5 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
120 МГц
Температура корпуса
tC
-60 ~ 70
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP